[майор Пронин.]

12В - Это 25-30%. Тогда понятно, есть смысл.

[майор Пронин.]

027, поясните, пожалуйста как надо правильно рассматривать ПОС по току в схеме раскачки с трансом с отводом.
Мне, например, видится здесь разве что ООС, как минимум во время прямого хода. Ведь весь коллекторный ток ХОТа идет через эмитер и часть обмотки ТМС в направлении(вниз) противоположном току во вторичке ТМС открывающему его(вверх по схеме). Но ведь он(коллекторный ток) и не попадает в базу. Открывающий ток циркулирутся в верхней части обмотки и переходе БЭ транзистора.
Но, далее, ток в оботке ТМС меняет направление, начинается рассасывание заряда в базе, прямой коллекторный ток еще какое-то время идет до окончания рассасывания(совпадая с запирающим током). Т.е, если я правильно понял - именно в этот момент запирания/рассасывания будет работать ПОС по току. Я правильно понял? Но по моему коллекторный ток не попадет в базу опять же. Вобщем пока не понимаю чего-то, не вижу ПОС по току.
На мой взгляд это для другой цели делается. - Коллекторный ток ХОТа, проходя через нижнюю часть обмотки во время прямого хода дополнительно намагничивает сердечник ТМС, за счет этого можно несколько разгрузить транзистор раскачки. Т.е скорее это будет положительная магнитная связь. Но может я что-то не так понимаю.
Может ли кто подробнее пояснить механизм работы базовоой цепи при таком включении?

[027]

Гы, как правильно рассматривать, не знаю, а как сам рассматриваю, могу пояснить.
Раскачка обеспечивает некоторый, относительно небольшой ток базы, достаточный для насыщения НОТа в начальный момент. Виток ПОС (магнитной, конечно же - автотрансформаторной) обеспечивает примерно пропорциональное увеличение базового тока с ростом коллекторного. Этим достигается удержание НОТа в режиме неглубокого насыщения.
При запирании ключа раскачки возникает импульс противоэдс, приводящий к переполюсовке вторичной обмотки и быстрому запиранию НОТа.

[майор Пронин.]

Если я правильно понял,
Не создавая большой ток в первичке ТМС, благодаря обратной связи через обмотку, коллекторный ток как бы сам будет контролировать оптимальное насыщение, чтобы потом ускорить процесс рассасывания уже не за счет увеличения запирающего тока а за счет оптимизации(уменьшения) самого заряда в базе. В принципе умно,( если я правильно понял, конечно).

[027]

Моя имха утверждает, что фича тут не в ускорении запирания, а в том, что большую часть открытого состояния ключа базовый ток относительно невелик, и достигает максимального значения только к концу прямого хода СР.
Тогда, как в схеме без отвода ток базы все время максимальный. И мощность, рассеиваемая на эмиттерном переходе немалая, сопоставимая с мощностью на участке к-э.

[майор Пронин.]

Что-то не пробиться к серверу сегодня. Узел найден. Ожидается ответ и... можно закуривать. Иногда по часу перекур. Проблемы там что ли на vist-v.ru?

[027]

Читаем объявление в разделе "Мониторы"

[shew]

Да, пробится трудно, поэтому тоже пофантазирую, но постараюсь коротенько
В любом случае HOT в конце прямого хода насыщен больше или меньше. Выключение транзистора раскачки не приводит к немедленному закрыванию HOTa, т.к. перемагничивание трансформатора раскачки продолжается в том же направлении под воздействием избыточного заряда в базе HOTa, причем процесс рассасывания заряда проходит током, зависящим от материала сердечника. Как правило эту ступеньку видно на осциллограмме базового тока. Т.е. на рассасывание избыточного заряда слабо влияют доп. диод и базовый резистор. Вот когда заряд рассосался и напряжение на трансформаторе раскачки начало изменять знак на противоположный, на процесс закрывания HOTa начинают влиять диод, конденсатор и т.д.. Дополнительные элементы процесса закрывания HOTa должны обеспечить скорость закрывания, не меньшую чем скорость нарастания импульса обратного хода. Если скорость переключения будет меньше - будут дополнительные потери и нагрев HOTa.
Некоторое время назад Илья тоже занимался оптимизацией переключения HOTa и пришел к выводу, что все хорошо, когда первый отрицательный выброс базового напряжения не меньше второго. Видимо это свидетельствует о том, что HOT переключается правильно и не влияет на скорость и нарастания, и спада импульса обратного хода.
Эти процессы по моему одинаковы и для схемы раскачки с ПОС и для обычной.

[майор Пронин.]

"..фича тут не в ускорении запирания" --- Т.е как я понял в том чтобы оптимизировать открывающий ток и уменьшить нагрев перехода БЭ ключа?
Может оно и так. Но у меня есть такая мысль. - Откуда вообще берется отрицательный(запирающий) ток через переход БЭ включенный в это время в обратном направлении. - Я так думаю как раз из-за накопленного заряда в базе, может это связано с емкостью базы или с особенностью самого перехода, но тем не менее через "закрытый" в это время переход идет запирающий ток до 5А - легко. Так вот моя мысль, что возможно количество этого заряда и зависит от прямого отрывающего тока, который будет меньше, во всяком случае отимизирован в схемах с отводом. Следовательно быстрее и меньшим током его удастся рассосать чтоб быстрее закрыть транзистор. Ведь греется он именно во время закрывания.
Сама по ПОС понятна, по принципу автотрансформатора, потенциал на верхнем конце увеличивается при большем коллекторном токе(в нижней части вторичной обмотки), в принципе я об этом и говорил изначально - за счет намагничивания сердечника.

[027]

``Ведь греется он именно во время закрывания" --- с чего вы это взяли?

[майор Пронин.]

``Ведь греется он именно во время закрывания`` --- с чего вы это взяли?
Открытое состояние(большая часть времени - вторая половина прямого хода) - напряжение на коллекторе меньше вольта - при токе да же 10А - 10ватт на ключе. Далее самый тяжелый участок - закрыть транзистор при максимальном прямом токе. После закрытия транзистора тока в коллекторе нет, он идет сначала в кондере(во время ИОХ), далее через демпфер. И до начала прямого хода тока в коллекторе нет. Чем он будет греться? Ток убывает(во время первой половины прямого хода) и нарастает во время второй половины прямого хода также при незначительном потенциале на коллекторе, определяемых Uнас. транзистора и напряжением открытого демпф диода.

[майор Пронин.]

слово "ток" в последнем моем посте - в смысле ток формирования магнитной энергии в отклоняющих катушках

[027]

``Ведь греется он именно во время закрывания`` --- с чего вы это взяли?
Несколько ошибок.
1. Напряжение насыщения типичного НОТа 3-5В
2. Во время первой половины прямого хода НОТ закрыт. Открывается он незадолго до смены полярности токо СОК.
3. Три основных составляющих нагрева НОТа - за счет падения напряжения к-э, за счет падени б-э, динамические потери при закрывании. (Извините, сумбурно, тороплюсь)
4. И еще мне показалось, что вы не знаете, что глубина насыщения определяется не только базовым током, но и коллекторным. Я не прав?

[Чиж Сергей]

``Ведь греется он именно во время закрывания`` Работа над ошибками
1. согласен полностью.
2.то же самое
3.ОО.. тут раз на раз не приходится.. Если тока базового не хватает очень сильно (скажем, ставишь вместо обычного НОТа транзистор с демфером без исключения резистора между базой и эмиттером -тут все ясно -основной нагрев-статические потери).По этому (третьему)пункту есть практические изыскания.Тут как-то было немного свободного времени и зуд эспериментаторства одолел.Под руку подвернулся Hansol 701P .Пришел повторно через 2 месяца после моего же ремонта.Предыдущий раз менял HOT в строке.Стоит там штатно моторолерский 2MJ16212 с напряжением насыщения не более 1.0 в при токе коллектора 6.5А.Предыдущий раз поставил еще более более мощный по току 2MJ1606.И он погорел бедолага.
Подцепил вместо НОТа BU2520AF на радиатор люминивый площадью 10х5 см оребреный черненый (дабы исключить влияние нагрева демфера),прицепил термарпару у корпуса и провел маленький екскремент.В раскачку вместо 1 мкф поставил 10мкф.Выяснилось, что температура корпуса НОТа имеет такую зависимость от видеорежима
31 кHz - 35гр
46 кHz 44гр
60 Кнz 68гр
температура указана для установившегося теплового режима..т..е когда в течение 15 мин температура не менялась.Поскольку ток в катушки не меняется -растр во всех режимах одинаков -то статические потери можно считать для всех режимах постоянными.А вот динамические дали прирост при удвоенной частоте строке прирост в 2 раза. И это при том, что напряжение насыщения у этого транзистора 5 в.Так что, я думаю, что на о статические потерях за счет падения на участках (коллектор- эмитер и на переходе база -эмитер) можно вообще не думать .В данном конкретном случае.И сдается мне, в большинстве мониторах без очевидных проблем с раскачкой так же.Остается третья составная часть -потери при закрывании.
Попутно..Ясно стало- почему на этом шасси НОТ хронически дохнет от перегрева.Не оптимизирован режим его именно по динамическим потерям.Или завысили разработчики предельные его возможности.
Сейчас оставил в раскачке 10 мкф оставил этот же НОТ .. добавил радиатора.Думаю если дальше 60 кНz не лазить -будет жить(тьфу тьфу)

[майор Пронин.]

``Ведь греется он именно во время закрывания`` --- с чего вы это взяли?
1. Напряжение насыщения типичного НОТа 3-5В ----- Согласен, конечно же, погорячился я слегка, но тем не менее за вторую половину прямого хода нарпяжение на коллекторе растет 0-5в, и если ток растет 0-10А, то мощность вырастет 0-50вт - не густо, не правда ли? Тем более при замене транзистора с насыщеним 5в на MJW16212(менее 1в Uнас) нагрев существенно не снижается.
2. Во время первой половины прямого хода НОТ закрыт. Открывается он незадолго до смены полярности токо СОК. --- А я об этом упоминал - После ИОХ ток через транзистор не идет до начала второй половины прямого хода. Отклоняющий ток после запирания идет во время ИОХ через резоноансный кондер, далее во время первой половины прямого хода через демпфер.
3. 3.1 Три основных составляющих нагрева НОТа - за счет падения напряжения к-э --- Предполагаю что это малая доля нагрева, я уже пояснил это в пункте 1.
3.2 за счет падени б-э, динамические потери при закрывании --- Так вот и я про то! Быстро закрыть ХОТ - вот главная проблема. Ток во время закрывания от 10А(например) до нулю будет пересекаться со временем нарастания напряжения на коллекторе в начале ИОХ от 0 до 1000в. Мгновенное значение мощности может достигать критических величин.
4. Пока не понял этот пункт, коллекторный ток определяется максимальным током в катушках к концу прямого хода - глубина насыщения для меня несколько непривычный термин. Излишний базовый(прямой) ток вряд ли повлияет на ток в коллекоре и катушках. Т.е глубина насыщения, зависимая от коллекторного тока, определяется главным образом током в катушках, лишь бы ток базы был достаточным(согласно коэфф предачи - бэта конкретного транзистора) для максимального тока в коллекторе. Как излишний базовый(прямой) ток вредит закрывынию транзистора я описал ранее.
Еще хочу отметить что запирающий ток в базе(в обратную сторону) скорее всего следует рассматривать не через закрытый переход БЭ(я погорячился наверное ранее) а через коллекторный скорее всего, видимо его надо рассматривать на уровне технологических особенностей работы полупроводниковых приборов - скопления электронов/дырок в области базы у насыщенного транзистора.