[Shurin]

... предлагаю темку для размышлений.: Известно, что НОТ в СР греется, иногда довольно сильно, его легко открыть и трудно закрыть, производители ставят в базовые цепи RD, RC цепи, регулируют базовый ток и т.д. А давайте перенесемся в "микромир", вернее обратим внимание на микросхемы ТТЛШ. Транзисторы в этой серии выполнены по схеме ненасыщаемого ключа. В базе стоят последовательно два резистора, от средней точки резюков стоит диод Шоттки катодом на колектор. При открывании транзистора, открывается и диод и отводит излишек базового тока в переход К-Э, т.о. транзистор не входит в глубокое насыщение и при снятии упр. сигнала легко и быстро закрывается. Не вижу препятствий для применения подобной схемотехнике в строчной развертке, высоковольтные диоды Шоттки выпускаются, думаю и обычный кремниевый ВВ быстрый диод подойдет, индуктивная нагрузка тоже вроде как не должна мешать. Чего скажете, господа теоретики и практики?

[МИА]

Как приятно,что Настоящая конфа не умирает и у Мэтров не пропал интерес,но появилось время для раздумий..
я конечно не теоретик,да и простейшую теорию читал дааавно.Вот что меня смущает: разные мощности и не насыщение НОТа.Если даже я говорю бред,то в полемике можно узнать много интересного.И еще.В одних схемах НОТы греются, в других совсем нет.Может в погоне за удешевлением производители просто экономят на схемотехнике(разработках)?

[Дядя Боря]

Ненасыщенный ключ известен давно, в низковольтовых и малотоковых цепях применяется, как сам же указал, довольно широко, в той же ТТЛШ, но в силовой электронике распространения не получил из-за
увеличения прямого падения напряжения на открытом ключе в основном... При этом не факт, что потерь меньше будет на переключение... Короче, никому не охота возится с разработкой того, что выигрывая в одном (скорости), проигрывает в другом, и становится много сложнее и ненадежнее при этом. И что-то я не слыхал про диоды Шоттки на полтора киловольта обратного...

[Дядя Боря]

Очень похоже, что МИА прав, и при перегревах дело в экономии - на разработке и на типе примененного транзистора , и не только транзистора, но и пассивных элементов, кондюков например...

[Del]

Очень похоже, что МИА прав, и при перегревах дело в экономии - на разработке и на типе примененного транзистора , и не только транзистора, но и пассивных элементов, кондюков например...
В мониторах так же применяют разные ключевые схемы,так например очень часто используют ключ с токовой обратной связью - это тот где эммитер подключен к отводу трансформатора раскачки - каждый очевидно встречал - базовый ток автомат. зависит от выходного тока ключа.

[Чиж Сергей]

мои соображения
я кстати тоже раньше задумывался над причинами неиспользования метода удержания ключа на грани насыщения в мониторах.Мне кажется, что именно в мониторах он и не приживется по одной простой причине-это довольно тонкая настройка схемы стабилизации коофициента насыщения и проще всего его осуществить, если частота переключения ключа постоянна.А мониторы как известно - системы мультичастотные и основные факторы влияюшие на разогрев ключа -динамические и статические потери на разных видеорежимах будут влиять неодинаково.Тонкость настройки в том, что при кооф.насыщения меньше 2 -кривая зависимости Uce от Ib -очень крутая - и незначительная недодозировка базового тока вызовет весьма значительное падение на участке -коллектор эммитер и соответсвенно -значительный разогрев.Чтобы не быть голословным-берем всем известеый и доступный даташит на BU2525AF .
Согласно даташиту при Ic=8A Uce =5V h21 =7
тогда при К насыщения =1 ток базы Ib= 87=1.14
При этом же Kнас=1 мошность выделяемая на транзисторе 8х5=40W (см. fig 10 из даташита).Если чуть уменьшить базовый ток до 1.0А -то Uce стремится к 10в.Мощность соответсвенно возрастет в 2 раза.Гораздо проще безопасней и надежней задать Kнас =2 и не парится.U ce при этом 0.3В. Возрастут динамические потери конечно ..но с ними можно побороться другими способами- форсировкой запирающего напряжения например (обратный диод в базовой цепи из этой серии).Кстати есть еще хитрый способ управления ключом- так называемый способ управления по двум переходам .Он заключается в раздельном во времени управлении переходами транзистора база-эмитер и коллектор -база.Дополнительный управляющий сигнал на переход коллектор-база транзистора находящегося в состоянии насыщения подается непосредственно перед моментом подачи запирающего сигнала на переход база -эмитер.Это выводит транзистор на границу области насыщения и соостветственно уменьшает коммутационные потери.Я, правда, не очень представляю, на что была бы похожа схема управления ключом при такой схемотехнике.Но к мониторам это все же, на мой взгляд, более применимо, чем предложенный Шуриным метод.

[Вован]

Так вот я тебя -то и ждал, Сергей.
Для равноценного диалога тут должен присутствовать 027, с своими идеями статических потерь, глубины насыщения, итд. Но тут предлагают совершенно(как будто бы), новый способ чего ---- компенсации излишнего насышения базового перехода. - Спасибо! Какой ценой - кто видел высоковольтные диоды Шоттки, как, они кстати по скорости, - успеют рассосать базовый потенциал, который, ежели с эммитера то Амперами исчисляется - не хухры-мухры. Лично я не уверен что таким образом можно вообще решать проблемы управления ХОТом. Шурин, еклмн, чего ж ты раньше молчал, когда я утверждал что излишний прямой ток перехода Б-Э или участка Э-К - это есть основная проблема при переключении. И что глубина насыщения и будет в конечном итоге главным аргументом и критерием при переключении. И не надо лохматить бабушку. Уже Илья тут пытался координировать наши мышления с предложениями и предположеними - мол глядите иголки в базе... Шурин, ты сам представляешь как ты будешь закрывать транзитор? имея кучу элементов которые тебе в этом даже и не помогут. У тебя транзистором управляет вторичная обмотка. Рупь за сто что Шоттки там не будет работать так как ты хочешь. Они медленные, во первых, и в базе работать так как ты хочешь - не будут работать.

[kor]

Может заодно и про IJBT транзисторы поговорить-априори ненасыщаемые,может кто уже экспериментировал?

[МИА]

Вот живой пример хорошей разработки не очень хорошего монитора...
CTX VL700 DBL1795VL.Все знают как в СТХ-ах греются НОТы,особенно в 17".И сервис биллютени не помогают,ставим мощнее и пашут.В этом мониторе вылетел НОТ С4924.Поставил просто С5270А.По нынешним временам не суперкрутой.800х600 прямо за транзистором -чтобы все так работали.Прямой пример ПРОСТО хорошей разработки,не более того.А в моих любимых Самсунгах что стало творится? Одно слово-отстой.

[Del]

мои соображения
В ключах с токовой ОС последняя и должна поддерживать необходимое соотношение между токами базы и выходным,а вот эффективно ли это практически - не знаю.

[Гость]

Как найти рабочую точку HOT
Путь к уменьшению нагрева ключа ,по моему мнению, лежит через нахождение правильной рабочей точки HOT т.е.
с одной стороны ключ должен быть хорошо открыт(статичекие потери малы),с другой стороны он должен быть не слишком насыщен(динамические потери малы).Как ее найти.?Я делаю следующим образом.Влючаю монитор в максимальное разрешение и начинаю изменять Rбазы HOT или R раскачки ,контролируя при этом ТОК по B+(лучше стрелочным прибором)Нахождение минимума потребления тока приводит ,как правило к уменьшению нагрева HOT(хотя не всегда).Этот способ выручал меня не раз.Что-то подобное я встречал в мониторах на шасси Panasonic.Там в раскачке стоит регулятор ,который изменяет напряжение питания раскачки.Управляется он кажись от проца ,а вот что при этом КОНТРОЛИРУЕТСЯ не знаю.Если у кого есть мануалы -гляньте,может это нам поможет в нашей нелегкой борьбе со строчными развертками.
Alex.

[rezident]

А ничего в Панасах там не контролируется. Заранее посчитано, что при такой частоте должно быть такое-то напряжение питания раскачки, вот и все! Именно так в мануале и описана настройка его в разделе Adjusment Procedure.

[BORQ]

Как найти рабочую точку HOT -Alex, не в обиду, а потому как флейм
Литературностью изложения этот текст вызвал у меня и всей нашей конторы мгновенную здоровую ассоциацию с откровениями поручика Ржевского, как он пояснял корнету особенности общения с женщинами.
Мы ржали. До слез...
Технически конечно все изложено на мой взгяд верно.
Русский язык велик и могуч.

[krikus]

Как найти рабочую точку HOT
Я тоже по началу на ток в+ смотрел но потом понял что он несколько не информативен при настройке...
А понял таким образом.
Повесил на НОТ маленький радиатор,к радиатору приклеил датчик цифрового комнатного термометра и на всю эту кибернетику нахлобучил кулер от 486 проца-)))
Кулер запитан от регулируемого БП.
Термометр дает один отсчет на 4 секунды.
Включаю мон,смотрю: если на один отсчет идет 1.5 градуса прибавки эт много,кручу верчу, ахха 1,2 градуса
значит что -то улутшилось . Таким образом вижу динамику во всей красе и довольно оперативно по времени. Ток развертки при этом меняется ох как незаметно и главное он может уйти от изменения размера растра и любых других случайных изменений параметров развертки...
А вот динамика трипературы эт четкий и однозначный показатель оптимальности работы НОТа.
А когда ставлю на прогон ,включаю кулер и подбором скорости вращения стабилизирую температуру на радиаторе. Тоже очень информативно,на каком напряжении
она замрет до оптимизации ,в процессе ,и после.
Вот-))

[Чиж Сергей]

Как найти рабочую точку HOT
есть такая мысля на этот счет.Может пойти по стопам разработчиков Нокии и попытаться реализовать их идею оптимизации базового тока.Я понимаю ее таким образом.(Для примера возьмем доступную схему 447R.)
1. базовый ток во время открытого состояния НОТ
прямо пропорционален коллекторному за счет вольтодобавки к напряжению раскачки от обмотки 2-4 МО401
2.Отрицательный импульс пропорциональный ИОХ
от обмотки 3-4 М402 прикладывается к переходу Б-Э во время обратного хода
обеспечивая форсированное запирание транзистора.
Еогда то рисовал осциллограммы на рабочем мониторе
На выводе 3 М401 импульс отрицательный порядка 8 в
во время обратного хода
на выводе 1 М401 положительный длинный импульс 4в
вольтодобавки.
В случае совмещенной развертки нужно на фбт (на магнитопроводе) намотать соответствующие 2 обмотки и пробовать вводить в соответсвующие участки схемы.
PS.только я этим точно заниматься уже не буду.Это для пытливых умов.Кто там у нас уже в разработчики подался?
Шурин ? ему и флаг в руки (шутка))