[Дядя Боря]

027, Чиж, "майор Пронин" - уй, ребята, не надо путать паспортные данные транзистора с тем, что есть в реале - это я по поводу напряжения насыщения.
В паспортах указывается 3-5В как максимальное напряжение насыщения, это происходит при максимальном коллекторном токе и коэффициенте насыщения (а это отношение базового тока умноженного на статический коэффициент к коллекторному току) равном одному. Так вот, в реале коэффициент насыщения больше двух всегда, а ток не достигает и половины максимального, а так как зависимость напряжения насыщения от коллекторного тока напоминает вольтамперную характеристику диода, то реальное падение на открытом транзисторе примерно в районе того самого одного вольта у тех транзисторов, в паспортах которых стоит 3 или 5В, и полвольта у тех, где написано 1В. Неоднократно наблюдал это с помщью осциллографа, так что за базар отвечаю... Динамические потери - примерно половина потерь в НОТе, и конечно растут с частотой. Опять же таки при повышении коэффициента насыщения больше какой-то (какой - точно не знаю, но качественный эксперимент проводил неоднократно) величины динамические потери возрастают больше допустимого, транзистор перегревается и дохнет - ну очень долго он закрываться начинает. Так что действительно нужно динамическое управление током базы. Кто-то упомянул, что мол если размер экрана одинаков на разных частотах, то и ток одинаков - ничего подобного - одинаково магнитное поле, а чтобы его сделать таким же при повышении частоты (уменьшении времени строчного импульса) надо закачать пропорционально бОльший ток, и с повышением частоты коэффициент насыщения падает, статические потери растут тоже, как и динамические.

[Вован]

``Ведь греется он именно во время закрывания`` --- с чего вы это взяли?
Вот тут на рисуночке графики, - на верхнем ток коллектора и ИОХ, на нижнем ток базы - соотношение их во времени. Вырезал я их из даташита на BUH1015.

Как раз видно точку пересечения во времени кривой тока коллектора и ИОХ. Судя по процентному соотношению это где-то приблизительно 30% от максимального тока и поцентов 25 от амплитуды ИОХ. Это может быть 2-3 ампера и 200-250 вольт - следовательно мгновенное значение мощности 400-600 ватт. Анатолий, зря возражаешь, - это очень тяжелый момент для транзистора. Из графика видно как будет вредить пологий участок ИОХ в начале фронта. Инертность тоже налицо, - запирающий отрицательный ток базы достигнет почти максимума а ток коллектора только начинает убывать. Я так думаю это представлен еще почти идеальный вариант режима ХОТа. В реальных схемах точка пересечения тока и напряжения коллектора оказывается еще и выше.

[Вован]

Тьфу, блин. Рисунок тут
http://horef.narod.ru/ioh.gif

[027]

ту Чиж.
Что значит, раз на раз не приходится? Эти составляющие присутствуют всегда. Другое дело, что в плохо спроектированной схеме какая-то составляющая может "выпирать" и греть НОТ вплоть до безвременной кончины. Например, мала крутизна фронта импульса при запирании из-за низкочастотного транзистора раскачки. Тут можно извращаться с базовой цепочкой до посинения, все равно будет греться.

"Поскольку ток в катушки не меняется -растр во всех режимах одинаков - то статические потери можно считать для всех режимах постоянными"
Ничего подобного. АМПЛИТУДА пилообразного тока коллектора примерно одинакова в конце прямого хода. (Хотя и она несколько больше на высоких частотах, из-за роста потерь в ОС на перемагничивание сердечника и излучение. Все это при условии одинакового размера растра, конечно). А вот ВРЕМЯ действия этого тока относительно больше на низких разрешениях. Потому как длительность ИОХ одинакова во всех режимах.

"Так что, я думаю, что на о статические потерях за счет падения на участках (коллектор- эмитер и на переходе база -эмитер) можно вообще не думать"
Лучше подумать Несложный расчет показывает, что эти потери для типичной схемы с постоянным током базы составляют порядка 3-4 Вт, а это примерно треть всей мощности, рассеиваемой на НОТе. Не такая уж и мелочь. А если ток в базе вдвое больше? А если НОТ отпирается слишком рано, задолго до середины растра? А если он недостаточен в конце прямого хода, и транзистор "вывыливается" из насыщения?

[027]

ту дядя Боря - измерение напряжения насыщения на НОТе осциллографом - вещь лукавая!
Канал вертикального отклонения сильно перегружен киловольтным импульсом, и осциллограф начинает безбожно врать. В какую сторону и насколько - зависит от конкретного исполнения ограничителя амплитуды, коэффициенте V/дел и т.д. Мой С1-99 обычно показывает 10-20В падения на НОТе, что, конечно же, чушь. НОТ издох бы мгновенно.
Достоверно измерить Uнас можно только в статическом режиме вольтметром.

"Опять же таки при повышении коэффициента насыщения больше какой-то (какой - точно не знаю, но качественный эксперимент проводил неоднократно) величины динамические потери возрастают больше допустимого, транзистор перегревается и дохнет - ну очень долго он закрываться начинает"
Неверно. Транзистор дохнет из-за чрезмерного нагрева током базы.
Многие путают время задержки запирания ключа с временем собственно процесса запирания.
Время задержки - интервал от запирающего фронта импульса в базе до достижения ключом состояния отсечки, состоит из двух фаз:
- фаза рассасывания неосновных носителей в базе. Большая часть времени задержки. Все это время транзистор еще не вышел из насыщения, и напряжение к-э практически неизменно! Это не есть этап больших динамических потерь. Длительность именно ЭТОЙ фазы сильно зависит от коэфф. насыщения.
- фаза перехода из насыщения в отсечку. Не зависит от тока базы "в прежней жизни". Вот тут ключ выходит из насыщения и напряжение к-э стремительно растет. Этот участок виден на осциллограмме, как дуга, сопрягающая практически линейную горизонтальную линию с синусоидальным склоном ИОХ (тоже можно считать линейным в рассматриваемом диапазоне).
Все динамические потери НОТа "живут" здесь.

"одинаково магнитное поле, а чтобы его сделать таким же при повышении частоты (уменьшении времени строчного импульса) надо закачать пропорционально бОльший ток"
Абсолютно неверно. Нужно приложить пропорцинально большее напряжение к катушкам ОС, чтобы увеличить СКОРОСТЬ нарастания тока в них, чтобы успеть к концу периода достичь ТАКОГО же тока.
Чем и занимается чоппер.

[027]

ту Вован - я бы не стал делать поспешных количественных оценок насчет полукиловатта мгновенной мощности на основании столь условного рисунка, иллюстрирующего процесс лишь качественно.

[027]

ту олл - я нигде не утверждал, что динамические потери - ерунда. Совершенно напротив, хочу предостеречь от пренебежения статическими потерями, которые составляют не менее трети в хорошо отлаженной схеме.
Не раз наблюдал, как на 31,5 кГц НОТ греется сильнее (весьма заметно на ощупь), чем на средней частоте (например, 54 кГц в 70 кГц мониторе).

[Вован]

Так-с. Первый спорный момент.
"Ничего подобного. АМПЛИТУДА пилообразного тока коллектора примерно одинакова в конце прямого хода. (Хотя и она несколько больше на высоких частотах, из-за роста потерь в ОС на перемагничивание сердечника и излучение. Все это при условии одинакового размера растра, конечно). А вот ВРЕМЯ действия этого тока относительно больше на низких разрешениях. Потому как длительность ИОХ одинакова во всех режимах."------
В частности слова "А вот ВРЕМЯ действия этого тока относительно больше на низких разрешениях" --- Непонятно... Во-первых на более высоких частотах в еденицу времени, например секунду, импульсов тока больше, - следовательно и нагрев(как результат работы этих импульсов тока) будет больше чем охлаждение, эффективность которого останется неизменным в эту еденицу времени. Тем более всегда замечал что с ростом чатосты и нагрев больше, во всех случаях.

[Вован]

Т.е если имеется ввиду "ВРЕМЯ действия" за один перид - то компенсируется это количеством периодов в еденицу времени.

[027]

Так-с. Первый спорный момент.
>>>В частности слова "А вот ВРЕМЯ действия этого тока относительно больше на низких разрешениях" --- Непонятно... Во-первых на более высоких частотах в еденицу времени, например секунду, импульсов тока больше, - следовательно и нагрев(как результат работы этих импульсов тока) будет больше чем охлаждение, эффективность которого останется неизменным в эту еденицу времени.

Чего там непонятного. Посмотрите на осциллограммы в разных разрешениях. Подумайте, в каком интервале греется, в каком - нет. Оцените отношение этих времен за период. И поймите, что важно не только количество импульслов в секунду, но и их длительность.
Так вот, с ростом частоты СР статические потери УМЕНЬШАЮТСЯ, за счет того, что длительность открытого состояния НОТ уменьшается БЫСТРЕЕ, чем период СР. Потому, что длительность прямого хода уменьшается, а длительность ИОХ остается неизменной. Напомню, что во время ИОХ НОТ практически не греется.
Динамические потери с ростом частоты РАСТУТ, потому что время запирания НОТа (не путать с временем рассасывания!) остается неизменным, количество же процессов запирания в секунду увеличивается. Т.е. время запирания занимает все больший процент от периода СР. А процент времени нахождения в насыщении уменьшается.
Теперь понятно?

Какое соотношение динамических и статических потерь в данном конкретном разрешении, зависит от многих факторов. В хорошо оптимизированной СР нагрев больше при наинизшей и предельной частотах, в середке же НОТ заметно холоднее.

[Вован]

Ага, смысл понятен.
С увеличением частоты - период прямого хода(в т.ч вторая его половина - время открытого состояния ХОТа) будет уменьшаться непропорционально периоду СР из-за того что время ИОХ постоянно. И на более высоких частотах время на открытое состояние будет меньше, т.е несколько "потеснено"(во времени) ИОХом. Я правильно понял?

[027]

Правильно

[Вован]

ту дядя Боря -
""одинаково магнитное поле, а чтобы его сделать таким же при повышении частоты (уменьшении времени строчного импульса) надо закачать пропорционально бОльший ток"
Абсолютно неверно. Нужно приложить пропорцинально большее напряжение к катушкам ОС, чтобы увеличить СКОРОСТЬ нарастания тока в них, чтобы успеть к концу периода достичь ТАКОГО же тока.
Чем и занимается чоппер"-----------------------------Вот тут согласен с Анатолием, - дядя Боря сильно погорячился. Еще добавлю что чоппер только обеспечивает большее напряжение для увеличения нарастания тока в отклоняющих катушках, а ограничивается он(ток) как раз на том же уровне автоматом уменьшением длины периода с ростом частоты и цепями регулировки размера и ООС. А больший ток разве что вызовет большее отклонение луча.

[shew]

А давайте как-нибудь обобщим результаты обмена мнениями и может быть после этого продвинемся дальше - или это невозможно ...

[Чиж Сергей]

А разве обмен мнениями уже закончен?
По моему он в самом разгаре.
Отвечу всем ооппонентам по порядку
для Дяди Бори (цитата).
:::Кто-то упомянул, что мол если размер экрана одинаков на разных частотах, то и ток одинаков - ничего подобного - одинаково магнитное поле, а чтобы его сделать таким же при повышении частоты (уменьшении времени строчного импульса) надо закачать пропорционально бОльший ток,
+++ НЕ согласен.Если у вас есть математические выкладки -приведите.Проверил простейшим трансформатором тока форму тока в катушках при разных режимах-60кгц и 31кгц.Форма тока абсолютно совпала ..по амплитуде также.ТТ взял из дросселя входного фильтра от писишного БП с двумя обмотками в противовключении.Первичка -два витка -вторичка судя по намотке -витков 100-130 .Нагрузочный резистор 100ом.Думаю что ТТ не врет *или весьма немного) поскольку форма тока -симметричная пила.
Так вот продолжу.. потери на перемагничивание сердечника -да-возрастут на повышеной частоте.Но это комплексное сопротивление включено последовательно с коллекторной цепью транзистора.. и соостветственно нагрев в виде тепла выделится на материале феррита а не на транзисторе -для компенсации падения напряженния на этой дополнительной индуктивности (в моем понимании это индуктивность рассеяния обмотки по аналогии со схемой замещения трансформатора) и включена она последовательно нужно либо чопером увеличитьнапряжение входное строки либо увеличить проводимость нижнего контура (в случае с диодным модулятором)

::: и с повышением частоты коэффициент насыщения падает, статические потери растут тоже, как и динамические.
+++ Непонятно как привязан коофициент насыщения к частоте ? во всех учебниках это отношение базового и коллекторного тока.Базовый ток в схемах с независимым управлением ( альтернатива ему -схемы с пропорциональным управлением)не меняется.Коллекторный так же -см. предыдущий пункт.Непонятна мысль..одним словом.Возможно перепутали коофициет насыщения со статическим коофициентом передачи..Он действительно падает с ростом тока коллектора.

цитата :::В паспортах указывается 3-5В как максимальное напряжение насыщения, это происходит при максимальном коллекторном токе и коэффициенте насыщения (а это отношение базового тока умноженного на статический коэффициент к коллекторному току) равном одному. Так вот, в реале коэффициент насыщения больше двух всегда, а ток не достигает и половины максимального, а так как зависимость напряжения насыщения от коллекторного тока напоминает вольтамперную характеристику диода, то реальное падение на открытом транзисторе примерно в районе того самого одного вольта у тех транзисторов, в паспортах которых стоит 3 или 5В, и полвольта у тех, где написано 1В.
+++ Каюсь -действительно открыли мне глаза.Даташиты, как правило, дальше первого листа не читаю.А зря.В подтверждение Вашим словам в номограммах, приведеных для BU2520AF напряжение насыщения Uce=1.5v при токе Ic =8A .Нет смысла осциллографом смотреть.

для 027 :::"Так что, я думаю, что на о статические потерях за счет падения на участках (коллектор- эмитер и на переходе база -эмитер) можно вообще не думать"
Лучше подумать Несложный расчет показывает, что эти потери для типичной схемы с постоянным током базы составляют порядка 3-4 Вт, а это примерно треть всей мощности, рассеиваемой на НОТе. Не такая уж и мелочь

+++ давай прикинем на примере того же BU2520AF.Оптимальный базовый ток для него на частоте 16кгц =примерно 1.5а (при Ic=5a) Для 32кгц -0.8а.(там же по номограмме по минимуму потерь на переключение)По другой кривой Typical base-emitter saturation voltage.
VBE sat = f (IC ); parameter IC /IB получается что мощность на этом переходе высаживается 0.8A x 0.65V =0.5Вт (для температуры кристалла скажем 125 градусов)
Или опять скажем что филипс врет все в своих даташитах?

:::А если ток в базе вдвое больше?
+++ считаем 0.7в х 2a =1.4вт.

::: "Поскольку ток в катушки не меняется -растр во всех режимах одинаков - то статические потери можно считать для всех режимах постоянными"
Ничего подобного. АМПЛИТУДА пилообразного тока коллектора примерно одинакова в конце прямого хода. (Хотя и она несколько больше на высоких частотах, из-за роста потерь в ОС на перемагничивание сердечника и излучение. Все это при условии одинакового размера растра, конечно). А вот ВРЕМЯ действия этого тока относительно больше на низких разрешениях. Потому как длительность ИОХ одинакова во всех режимах.

+++ Согласен.. Напомню- в контексте первоначального обсуждения вопрос звучал так - увеличение частоты строчки в 2 раза дало увеличение температуры НОТа
почти в два раза..Другими словами прирост температуры за счет динамических потерь .Учитывая твою мысль -этот прирост еще больший чем я предположил.Так получается?